作为半导体代工行业的领头羊，TSMC一直是同行学习的对象，很多同行都扬言要在不久的将来赶上TSMC，力争在几年内完全超越TSMC。

不幸的是，这些半导体代工厂与TSMC的差距正在扩大，三星就是一个典型的例子。

为了在半导体行业快速发展，赶超TSMC，三星此前决定在2030年前持续投资1160亿美元，在3nm工艺上赶超TSMC，并计划2025年在芯片制造领域领先。

在过去的两年里，三星半导体没有辜负如此巨大的投资。2020年开始量产5nm工艺，2021年开始量产4nm工艺。现在三星已经把工艺技术推到了3nm级别。

日前有消息称，三星的3nm工艺已经实现量产，良品率大幅提升，这意味着三星的3nm工艺已经实现量产，确实领先于TSMC。

据媒体报道，美国总统近日参观了位于平泽附近的三星芯片工厂，这是世界上唯一一家可以量产3nm工艺的晶圆厂，而三星也首次公开了采用3nm工艺的12英寸晶圆。

对于三星来说，3nm将是他们押注芯片技术会赶超TSMC的关键节点，因为TSMC的3nm技术不会采用下一代GAA晶体管技术，而三星采用了最新的技术。

据了解，GAA是一种新型的环绕栅晶体管，可以用纳米芯片设备制造多桥沟道场效应晶体管MBCFET。这种技术可以显著提高晶体管性能，将用于取代FinFET晶体管技术。

据三星官方介绍，与7nm制程工艺相比，3nm GAA工艺提高逻辑面积效率45%以上，功耗降低50%，性能提升35%左右。

所以从纸面参数来看，三星的3nm技术优于TSMC的3nm FinFET技术，但是外媒却给它泼了冷水。外媒认为TSMC并不担心三星的3纳米技术。

去年，三星在4纳米工艺节点的大规模生产方面领先于TSMC。毕竟，第一款采用TSMC 4nm工艺的芯片直到今年2月才开始销售，而骁龙采用三星4nm工艺的8 Gen1早在去年年底就开始销售了。

但是领先并不意味着领先。三星在4纳米节点上比TSMC差很多。骁龙8 Gen1在性能和功耗方面不如使用TSMC 4nm技术的天机9000芯片稳定。

就连三星的新技术之前的良品率也只有35%，芯片发热问题非常严重，直接吓跑了一些大客户，包括英伟达和高通。

最近，高通发布的骁龙8+芯片基于TSMC的4纳米工艺。得益于TSMC的工艺，这款芯片的升级幅度非常明显。官方称CPU和GPU性能提升了10%，而整体功耗降低了15%。

从这次升级可以看出，TSMC在工艺技术上确实有绝对优势，这也是外媒认为TSMC不担心的原因。

此外，TSMC还有一个更有底气的因素，那就是几乎所有的大客户都被它拿下了，包括苹果、AMD、联发科等。现在高通和英伟达又回来了，加上和英特尔的合作，这些都体现了TSMC压倒性的力量。

此外，TSMC的投资远远落后于三星半导体。如前所述，三星计划在未来十年继续投资1160亿美元，但TSMC的计划是2022年的投资规模将高达400-440亿美元。

值得一提的是，TSMC计划在2021年投资250-280亿美元，但实际支出为300亿美元。

根据计划，TSMC今年投资的70%至80%将用于2nm等先进工艺，10%用于先进封装，其余用于成熟工艺。

因此，在外界看来，TSMC的未来将势不可挡，而三星已经力不从心。你认为三星有机会超过TSMC吗？随意评论，点赞，分享，说说你的看法。